DUTCHNESS

Dutchness

Publieke samenvatting

Aanleiding
In dit project zullen nieuwe technologieen voor het produceren van zeer efficiente, kristallijn silicium n-type zonnecellen worden onderzocht en ontwikkeld. Voor de deelnemende bedrijven Tempress, ASM, Levitech, OTB en MECO is het belangrijk dat hun productie apparaten getest kunnen worden als onderdeel van een compleet zonnecel- en module- proces. Op deze manier kunnen de nieuwe en geoptimaliseerde processen direct worden gevalideerd op gebied van hogere efficientie en lagere kosten. De deelnemende Nederlandse bedrijven beslaan alle belangrijke aspecten van een zonnecel productie lijn.

Doelstelling
Project doelstellingen:

1
De Nederlandse partners zullen apparaten en processen ontwikkelen en optimaliseren met betrekking tot yield, doorvoer en kwaliteit om zo de productie van 21% n-pasha zonnecellen voor 21 $ct/wp en 22.5% n-IBC zonnecellen voor 25 $ct/wp mogelijk te maken

2
De nieuw ontwikkelde apparatuur zal worden geintegreerd in een complete zonnecelproductielijn voor 21% n-pasha cellen, met een doorvoer van 2800 wafers/uur en een verbeterde yield hetgeen zal resulteren in 120 MWatt per jaar


Korte omschrijving
Om deze doelstellingen te realiseren, zullen de volgende onderwerpen binnen het project worden onderzocht en ontwikkeld:

1)
Het creeren en patroneren van de p-n-junctie door nieuwe technieken zoals ion-implantatie, APCVD depositie en epitaxiale Si groei van gedoteerd silicium door de bedrijven ASM, Tempress, OTB, ECN en de TUD

2)
Het verbeteren van de passivatie van silicium oppervlakken met verschillende dotering door nieuwe technieken zoals industriele ALD depositie van Al2O3 of door het vormen van SiOx lagen door de bedrijven ASM, Levitech, Tempress, OTB, ECN en de TU/e

3)
Het verbeteren van de contactering van silicium oppervlakken met verschillende dotering met behulp van geavanceerde metallizatie technieken zoals inkjet printen of het vormen van NiSi contacten en opvolgend electroplaten door de bedrijven OTB, Levitech, MECO en ECN.

4)
Het integreren van de onder 1-3 genoemde processtappen om 21% n-pasha cellen voor 21 ct/Wp en 22.5% n-IBC cellen voor 25 ct/Wp aan te tonen.



Resultaat
Voor de ontwikkeling van alle apparatuur zullen 6x6 inch2 n-type Cz silicium wafers worden gebruikt als standaard. De optimalisatie van de apparatuur op kwaliteit, yield en doorvoer zal voornamelijk worden verricht op de n-pasha zonnecel, als huidige 'werkpaard' van de n-type cel technologie. De potentie op gebied van kwaliteit zal verder worden beoordeeld door het produceren van de hoge efficientie n-IBC cellen.